包括多层隧道势垒的非易失存储器件及其制造方法
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摘要
本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。
基本信息
专利标题 ：
包括多层隧道势垒的非易失存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1761073A
申请号 ：
CN200510106838.X
公开（公告）日 ：
2006-04-19
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田尚勋金桢雨黄显相
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106838.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/105 H01L27/112 H01L21/336 H01L21/8239 H01L21/8246
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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