形成用于阈值电压控制的结构的方法
公开
摘要
公开了用于将阈值电压偏移层沉积到衬底表面上的方法和系统以及使用该方法形成的结构和器件。一种示例性方法包括通过使用循环沉积过程来将阈值电压偏移层沉积到衬底表面上。阈值电压偏移层对于金属氧化物半导体场效应晶体管特别有用。
基本信息
专利标题 ：
形成用于阈值电压控制的结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381711A
申请号 ：
CN202111191256.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
O.马迪亚G.A.沃尼谢琦M.E.吉文斯V.沙尔玛A.伊利贝里
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111191256.1
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/455 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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