形成用于阈值电压控制的结构的方法
公开
摘要
公开了用于在衬底表面上沉积阈值电压偏移层的方法和系统以及使用该方法形成的结构和器件。一种示例性方法包括使用循环沉积过程，在衬底表面上沉积阈值电压偏移层。
基本信息
专利标题 ：
形成用于阈值电压控制的结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530365A
申请号 ：
CN202111401740.2
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢琦G.A.沃尼T.伊万诺娃P.西波拉M.E.吉文斯E.谢罗金智妍C.德泽拉P.德明斯基R-J.张
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111401740.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C16/30 C23C16/40 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
