具有均匀阈值电压分布的FIN结构及半导体器件的形成方法
授权
摘要
本发明提供了一种形成半导体器件结构的方法。该方法包括：确定沿半导体衬底上方的硅锗(SiGe)鳍结构的高度的阈值电压分布曲线；根据SiGe鳍结构中的Ge浓度与阈值电压之间的相关性，确定锗(Ge)浓度曲线以抵消阈值电压分布曲线；沿着SiGe外延层的厚度形成具有Ge浓度曲线的SiGe外延层；对SiGe外延层进行蚀刻以形成SiGe鳍结构；以及在SiGe鳍结构上形成沿着SiGe鳍结构的高度具有均匀阈值电压的场效应晶体管。本发明还提供了具有均匀阈值电压分布的FIN结构。
基本信息
专利标题 ：
具有均匀阈值电压分布的FIN结构及半导体器件的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109309007A
申请号 ：
CN201711188055.X
公开（公告）日 ：
2019-02-05
申请日 ：
2017-11-24
授权号 ：
CN109309007B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
冯家馨
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201711188055.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/10 H01L29/161
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20171124
申请日 : 20171124
2019-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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