低热阻器件的形成方法和结构
专利权的终止
摘要
形成一种半导体器件，以具有减小半导体器件的热阻的形状。
基本信息
专利标题 ：
低热阻器件的形成方法和结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773669A
申请号 ：
CN200510113567.0
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
纳拉扬·拉贾罗杰·P·斯托特
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510113567.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/22 H01L23/367 H01L29/06 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2012-12-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101364717653
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101135670
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20111013
号牌文件序号 : 101364717653
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101135670
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20111013
2009-04-15 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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