动态随机存取存储结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要

一种动态随机存取存储器及其方法,其中,方法包括:提供衬底,衬底具有相对的第一面和第二面,衬底包括若干相互独立的存储区,相邻存储区之间具有间隔区,存储区中具有若干相互分立的有源区,有源区在第一方向上延伸,有源区包括若干沟道区;在存储区中的有源区内形成若干字线栅结构;在第一面和若干字线栅结构表面形成介电层;在介电层内形成若干电容;在介电层上形成电容极板,电容极板与电容电连接;在电容极板内形成若干应力调节凹槽,应力调节凹槽位于间隔区上;形成若干应力调节凹槽后,在第二面上形成若干位线,每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接。从而,减少了动态随机存取存储器的翘曲,提高存储器可靠性。

基本信息
专利标题 :
动态随机存取存储结构及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334983A
申请号 :
CN202210108871.X
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
华文宇张帜
申请人 :
芯盟科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐文欣
优先权 :
CN202210108871.X
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220128
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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