动态随机存取存储器的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种动态随机存取存储器的形成方法,包括:形成沿所述第二方向贯穿所述有源区的第一沟槽和所述第二沟槽,所述第一沟槽和所述第二沟槽均自所述第一面向所述第二面延伸,且所述第一沟槽位于所述字线区内,所述第二沟槽位于所述沟道区内;在所述第一沟槽侧壁形成字线栅结构和第一隔离结构,且各个所述第一沟槽内的两个字线栅结构之间由所述第一隔离结构相互隔离;在所述第二沟槽内形成第二隔离结构;形成所述字线栅结构、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后,自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理,直至暴露出所述第二沟槽。所述第一沟槽和所述第二沟槽在同一次光刻工艺中形成,利于形成均匀的器件沟道,提高器件性能稳定性。
基本信息
专利标题 :
动态随机存取存储器的形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373720A
申请号 :
CN202210062622.1
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘藩东华文宇骆中伟
申请人 :
芯盟科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐文欣
优先权 :
CN202210062622.1
主分类号 :
H01L21/8242
IPC分类号 :
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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