动态随机存取存储器及其形成方法
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摘要

一种动态随机存取存储器及其形成方法,包括:衬底,衬底第一面和第二面,衬底包括若干有源区,各有源区均包括第一沟道区、第二沟道区和字线区;位于字线区内的字线栅结构;位于第一沟道区第一面内的第一源漏掺杂区;位于第一面上的位线层;位于第一沟道区第二面内的第二源漏掺杂区;位于第二面上的若干电容结构。通过将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上,能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度。将电容结构排布在衬底的第二面,使得电容结构具有更大的结构空间,进而使得电容结构的存储容量增加。将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上,还能够有效减小单个存储结构占用的面积,能够提升存储器的存储密度。

基本信息
专利标题 :
动态随机存取存储器及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112909001A
申请号 :
CN202110374500.1
公开(公告)日 :
2021-06-04
申请日 :
2021-04-07
授权号 :
CN112909001B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
华文宇余兴
申请人 :
芯盟科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐文欣
优先权 :
CN202110374500.1
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-10 :
授权
2021-06-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210407
2021-06-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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