动态随机存取存储器及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中方法包括：形成第一晶圆，所述第一晶圆内具有存储区和位于所述存储区外的若干外围电容区，一个外围电容区包括若干外围电容，所述存储区包括若干存储库，各存储库包括若干内存组，所述若干内存组沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各内存组包括若干存储单元，各存储单元包括一个存储电容；形成第二晶圆，所述第二晶圆内具有逻辑电路区，所述逻辑电路区包括若干第一外围区和一个第二外围区，所述若干第一外围区沿第一方向和第二方向呈阵列排布；将所述第一晶圆和第二晶圆键合，并使一个所述第一外围区与一个所述内存组电连接，提高芯片的集成水平。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388508A
申请号 ：
CN202210039251.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蓝天
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210039251.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
