动态随机存取存储器电容器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种动态随机存取存储器电容器及其制备方法。其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。本发明的DRAM电容器制程简单，便于工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器电容器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551411A
申请号 ：
CN202011349123.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈卓王盈智王士欣
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202011349123.8
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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