动态随机存取存储器单元结构
公开
摘要
本申请公开了一种动态随机存取存储器单元结构，包括有源区、字线、位线、和并联的两个电容器，所述有源区与所述字线组成场效应晶体管，有源区之一与所述位线电连接，有源区的另一个与所述两个电容器的一端相连接，所述两个电容器的另一端分别连接接地端。本申请实施例提供的动态随机存取存储器单元结构，并联的两个电容器并列配置，能够确保高电容特性，能够确保动态随机存取存储器单元结构所需的电容值，并且两个电容器分别位于场效应晶体管的上方和下方，优化了工艺结构，确保动态随机存取存储器单元结构保持一个较小的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器单元结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628386A
申请号 ：
CN202011439150.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申靖浩李俊杰周娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011439150.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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