动态随机存取存储器结构
授权
摘要
本申请公开了一种动态随机存取存储器结构。该动态随机存取存储器结构包括：在水平方向上相互平行且间隔排列的多条位线，在垂直方向上相互平行且间隔排列的多条字线，任一位线的上边界到另一相邻的位线的上边界距离定义为BLP，任一字线的左边界到另一相邻的字线的左边界距离定义为WLP；单位子图案；多条斜阶梯状图案，斜阶梯状图案包含有多个相同形状的矩形图案，矩形图案彼此重叠连接并沿着第一方向排列，各矩形图案在水平方向上的宽度定义为X，各矩形图案在垂直方向上与相邻的矩形图案不重叠的宽度定义为Y；单位子图案包括N条斜阶梯状图案。该动态随机存取存储器结构可以提高整体图案分布的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022387428.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
CN216488057U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
颜逸飞
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202022387428.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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