动态随机存取存储器
授权
摘要
本实用新型公开了一种动态随机存取存储器。该动态随机存取存储器包括：一衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；多条位线位于所述衬底上，其中所述位线包括一硅层；一金属硅化物，位于所述位线的所述硅层的侧壁上。本实用新型提供的动态随机存取存储器，通过在位线的侧壁形成金属硅化物，可降低位线电阻进而获得提升的效能。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020937265.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN211789014U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
冯立伟
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202020937265.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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