本公开提供了一种半导体器件、动态随机存取存储器及电子设备，该半导体器件包括半导体基底、沟槽隔离层、栅氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层、第一导电层及第二导电层等。在半导体基底上设置有第一凹槽和第二凹槽，沟槽隔离层贴附于第一凹槽的底壁和侧壁上，栅氧化层贴附于第二凹槽的底壁和侧壁上。第一阻挡层沉积于沟槽隔离层上，第二阻挡层沉积于栅氧化层上，第一阻挡层上表面的高度小于第二阻挡层上表面的高度。第一导电层填充于第一阻挡层围成的第一空间内，第二导电层填充于第二阻挡层围成的第二空间内。该存储器包括本公开的半导体器件，该电子设备包括存储器。本公开能够通过全新的半导体器件结构有效抑制栅诱导漏极泄漏电流的问题。