半导体存储设备以及包括其的存储系统
授权
摘要
一种半导体存储设备包括：正常存储块，包括多个正常存储单元；冗余存储块，包括多个冗余存储单元，其中，所述多个冗余存储单元用于代替正常存储单元当中的缺陷单元；正常缓冲块，被配置为读出并放大存储在正常存储块中的数据；冗余缓冲块，被配置为读出并放大存储在冗余存储块中的数据；正常锁存块，被配置为基于正常控制信号从正常缓冲块取得数据并存储所述数据；以及冗余锁存块，被配置为基于冗余控制信号选择性地从冗余缓冲块取得数据并存储所述数据。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储设备以及包括其的存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107017029A
申请号 ：
CN201710009492.4
公开（公告）日 ：
2017-08-04
申请日 ：
2017-01-06
授权号 ：
CN107017029B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
李浩俊
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张泓
优先权 ：
CN201710009492.4
主分类号 ：
G11C29/00
IPC分类号 ：
G11C29/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-12-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/00
申请日 : 20170106
申请日 : 20170106
2017-08-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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