采用熔断电路的半导体器件及选择熔断电路系统的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种能够减小其中使用的程序熔断器数目的半导体器件以及一种熔断电路选择方法。该半导体器件包括至少一个第一熔断电路，所述第一熔断电路包括：存储电路组，其基于多个程序熔断器的切断模式来存储想要的地址；命中检测单元，其检测所述存储电路组中存储的地址与选中地址之间的匹配；以及使用确定单元，其响应于所述多个程序熔断器中至少一个切断的事实，激活所述命中检测单元。如上所述，第一熔断电路基于程序熔断器本身是否切断，来确定第一熔断电路是处于使用状态还是未使用状态。因此，使能熔断器变为不必要。
基本信息
专利标题 ：
采用熔断电路的半导体器件及选择熔断电路系统的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822222A
申请号 ：
CN200510131606.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
北山诚川真田阳介
申请人 ：
尔必达存储器股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200510131606.X
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34 G11C7/00 G11C29/00 H01L27/105
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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