半导体存储器设备及其操作方法

实质审查的生效

摘要

本公开的各实施例涉及半导体存储器设备和及其操作方法。一种半导体存储器设备包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路被配置成对存储器单元阵列执行编程操作和读取操作。控制逻辑被配置成控制外围电路的操作。控制逻辑控制外围电路对在多个存储器单元中的、被包括在选定页中的存储器单元执行SLC编程操作；将通过对选定页执行正常感测操作所计数的第一故障位的数量与通过对选定页执行多感测操作所计数的第二故障位的数量进行比较；以及基于比较的结果来校正要被用于读取操作的至少一个评估时间。

基本信息

专利标题：

半导体存储器设备及其操作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114464221A

申请号：

CN202110687866.4

公开（公告）日：

2022-05-10

申请日：

2021-06-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

崔亨进

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

罗利娜

优先权：

CN202110687866.4

主分类号：

G11C7/12

IPC分类号：

G11C7/12 G11C8/08

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C7/10

输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器

G11C7/12

位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路

法律状态

2022-05-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G11C 7/12
申请日 : 20210621

2022-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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