半导体存储器装置及其操作方法
实质审查的生效
摘要

本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括:存储块,其包括在编程操作期间被编程为多个编程状态的多个存储器单元;电压发生器,其被配置为在编程操作期间生成并且向存储块施加编程电压和选择线电压;以及读写电路,其被配置为在编程操作期间临时存储编程数据,并基于临时存储的编程数据来控制存储块的位线的电位。电压发生器在对多个编程状态当中的一些编程状态的第一编程操作期间将选择线电压生成为第一选择线电压,并且在对多个编程状态当中的其余编程状态的第二编程操作期间将选择线电压生成为第二选择线电压,第二选择线电压的电位低于第一选择线电压的电位。

基本信息
专利标题 :
半导体存储器装置及其操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114360614A
申请号 :
CN202110570405.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-05-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金昞寧金宗佑辛泳哲
申请人 :
爱思开海力士有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
刘久亮
优先权 :
CN202110570405.9
主分类号 :
G11C16/34
IPC分类号 :
G11C16/34  G11C16/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定,例如,阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20210525
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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