具有多位单元阵列结构的磁阻随机存取存储器
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摘要
本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有多位单元阵列结构的磁阻随机存取存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822226A
申请号 ：
CN200510003456.4
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金惠珍赵佑荣吴泂录
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510003456.4
主分类号 ：
G11C11/56
IPC分类号 ：
G11C11/56
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的，如：电压、电流、相位、频率的
法律状态
2009-12-23 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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