具有外围结构上单元的非易失性存储器装置
公开
摘要
具有外围上单元(COP)结构的非易失性存储器装置包括第一子存储器平面和在行方向上与第一子存储器平面相邻设置的第二子存储器平面。第一竖直接触区域设置在第一子存储器平面的单元区域中，第二竖直接触区域设置在第二子存储器平面的单元区域中。第一开销区域设置在第一子存储器平面的单元区域中，并且在行方向上与第二竖直接触区域相邻，第二开销区域设置在第二子存储器平面的单元区域中，并且在行方向上与第一竖直接触区域相邻。单元沟道结构设置在单元区域的主区域中。
基本信息
专利标题 ：
具有外围结构上单元的非易失性存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361178A
申请号 ：
CN202111199611.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞昌渊郭判硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111199611.X
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11573
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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