控制存储器的存取和刷新的系统和方法
授权
摘要

本发明提供了除了如下所述的一种情况之外,主存储器以优先于刷新操作方式将优先级给予读取或写入操作的存储器和存储器控制系统。另一方面,高速缓冲存储器以优先于读取或写入操作方式将优先级给予刷新操作。例外情况出现在当启用高速缓存刷新和高速缓冲存储器中的数据有效时,接收存储器读取信号的时候。在这种例外情况中,高速缓冲存储器的刷新被延迟。在某些读取操作期间,特定存储块中的数据也被写入高速缓存中,但不进行从高速缓存的回写。这样就减少了回写操作的次数和消除了由刷新操作引起的延迟。

基本信息
专利标题 :
控制存储器的存取和刷新的系统和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1770320A
申请号 :
CN200510103786.0
公开(公告)日 :
2006-05-10
申请日 :
2005-09-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
河旻烈郑铉泽表锡洙
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
王志森
优先权 :
CN200510103786.0
主分类号 :
G11C11/401
IPC分类号 :
G11C11/401  G11C11/409  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
法律状态
2009-09-30 :
授权
2007-10-31 :
实质审查的生效
2006-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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