半导体存储器装置及其操作方法

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摘要

本公开涉及半导体存储器装置和对半导体存储器装置进行操作的方法。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和控制逻辑电路。控制逻辑电路基于命令和地址控制对存储器单元阵列的存取。所述半导体存储器装置以与来自外部的存储器控制器的时钟信号同步的方式执行在存储器单元阵列中写数据的写操作和执行从存储器单元阵列读数据的读操作。所述半导体存储器装置以不同的数据选通模式执行写操作和读操作，在所述不同的数据选通模式中，所述半导体存储器装置根据所述时钟信号的频率使用不同数量的数据选通信号。

基本信息

专利标题：

半导体存储器装置及其操作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107240413A

申请号：

CN201710196463.3

公开（公告）日：

2017-10-10

申请日：

2017-03-29

授权号：

CN107240413B

授权日：

2022-04-08

发明人：

柳承佑姜相圭

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

张帆

优先权：

CN201710196463.3

主分类号：

G11C7/10

IPC分类号：

G11C7/10 G11C7/22

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C7/10

输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2018-11-30 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20170329

2017-10-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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