半导体存储器装置及其操作方法
公开
摘要
本技术涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器块；外围电路，该外围电路用于对所述多个存储器块中的所选存储器块执行编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑用于控制所述外围电路在所述编程操作期间在编程电压施加操作和编程验证操作之间执行解捕获操作，并且所述外围电路在所述解捕获操作期间向连接到所选存储器块的源极线施加正设定电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613399A
申请号 ：
CN202110890252.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-08-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金声璞林奎南朴世泉
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110890252.6
主分类号 ：
G11C8/08
IPC分类号 ：
G11C8/08 G11C7/12 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C8/06
地址接口装置，例如：地址缓冲器
G11C8/08
字线控制电路，例如，用于字线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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