隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非易失性存储元件，以及控制程序和计算机可读取的存储介质

隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非...

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

基本信息

专利标题：

隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非易失性存储元件，以及控制程序和计算机可读取的存储介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101095224A

申请号：

CN200580045366.X

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-12-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

盐泽俊彦古井真悟小林岳志北川淳一

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200580045366.X

主分类号：

H01L21/8247

IPC分类号：

H01L21/8247 H01L21/318 H01L27/115 H01L29/788 H01L29/792