一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法
实质审查的生效
摘要
一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法。包括步骤1：确定待测的沟槽MOS结构与预先制备的两组沟槽MOS结构的总电容‑电压曲线，总电容包括沟槽底部，沟槽顶部台面及沟槽侧壁对应的分支电容；一组沟槽MOS结构与待测的沟槽MOS结构的沟槽底部宽度不同，另一组与待测的沟槽MOS结构的沟槽顶部台面宽度不同；步骤2：根据总电容‑电压曲线，确定在指定偏置电压下，待测的沟槽MOS结构的沟槽侧壁对应的分支电容；步骤3：调整指定偏置电压并重复步骤2，得到不同偏置电压下待测的沟槽MOS结构的沟槽侧壁对应的分支电容，以生成侧壁电容‑电压特性曲线。本发明能提高沟槽MOS结构的侧壁电容的提取精度。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551262A
申请号 ：
CN202011343002.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭志煜田润武靖敏王风旋杨香樊中朝杨富华
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王江选
优先权 ：
CN202011343002.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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