硅上互连电容提取

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种用于硅上互连电容(C_x)提取的芯片上电路，所述电路对集成的晶体管中的工艺变化进行自补偿。所述电路(10)包括：信号发生装置(20)，用于产生连接到第一信号延迟装置(31)和第二信号延迟装置(32)的周期性脉冲信号，所述第一信号延迟装置(31)和第二信号延迟装置(32)用于分别延迟所述脉冲信号，其中，所述第二信号延迟装置(32)被构造成具有受所述互连电容(C_x)影响的延迟；逻辑XOR门(35)，用于连接所述第一延迟装置(31)的第一延迟信号和所述第二延迟装置(32)的第二延迟信号，所述逻辑XOR门(35)连接到信号积分装置(40)；以及所述信号积分装置(40)连接到模数转换装置(50)。同时，在传统的未补偿(如只有延迟线)的系统中的误差可能高至30％，而在根据本发明的电路中，由于前端中的工艺变化导致的误差为大约2％。此外，提供数字格式的输出，因而

基本信息

专利标题：

硅上互连电容提取

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101088015A

申请号：

CN200580044815.9

公开（公告）日：

2007-12-12

申请日：

2005-12-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

普鲁维·斯恩达克拉马塞尔·佩尔戈姆吉恩·G·威尔宁亨德里克斯·J·M·维恩德里克

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580044815.9

主分类号：

G01R27/26

IPC分类号：

G01R27/26 G01R31/30

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R27/00

测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置

G01R27/02

电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量

G01R27/26

电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量

法律状态

2015-02-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341064
IPC(主分类) : G01R 27/26
专利号 : ZL2005800448159
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20100120
终止日期 : 20131219

2010-01-20 ：

授权

2008-06-18 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080516

2008-02-20 ：

实质审查的生效

2007-12-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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