一种mos管导通情况下的电容提取方法
实质审查的生效
摘要
一种mos管导通情况下的电容提取方法，包括以下步骤：1）根据版图中的半导体图形，获取其连通的源极网络和漏极网络；2）将半导体图形分别与源极网络和漏极网络图形做交，并将相交图形进行属性标记；3）对半导体图形与源极网络和漏极网络不相交的图形边界进行网格划分，得到图形集合并进行属性标记；4）根据新的源极网络和漏极网络，做电容提取并得到mos管导通状态下的电容。本发明的mos管导通情况下的电容提取方法，计算mos管导通情况下的线网的电容情况，基于电容结果，进一步改进像素显示性能。
基本信息
专利标题 ：
一种mos管导通情况下的电容提取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114462348A
申请号 ：
CN202210116612.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相启陆涛涛刘伟平
申请人 ：
北京华大九天科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区利泽中二路2号A座2层
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王金双
优先权 ：
CN202210116612.1
主分类号 ：
G06F30/392
IPC分类号 ：
G06F30/392
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/392
平面规划或布局，例如,分区或放置
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/392
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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