本发明提供一种可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法，包括步骤：提供衬底，包括若干间隔分布的有源区以及位于有源区中间的浅沟槽隔离结构；于有源区内形成阱区；形成第一厚度的牺牲材料层，牺牲材料层覆盖有源区及浅沟槽隔离结构，牺牲材料层的材质与浅沟槽隔离结构的材质相同；对牺牲材料层进行化学机械研磨，以使牺牲材料层的厚度消减为第二厚度，第一厚度与第二厚度的差值大于等于400埃；进行湿法刻蚀去除残余的牺牲材料层，并使得有源区的上表面和浅沟槽隔离结构的上表面相平齐；于有源区的上表面依次形成栅氧化层和栅极多晶硅层。本发明可以有效避免在浅沟槽隔离结构周围形成凹坑，可以避免器件的局部导通，有助于提高器件性能。