SOT高密度封装结构
授权
摘要
本实用新型技术方案公开了一种SOT高密度封装结构，包括框架主体及均匀分布排列至框架主体上的晶体管，晶体管与横向相邻的晶体管底部均连接有最多三个底部连接位，且每两个横向的晶体管之间共同连接有第四个底部连接位，框架主体上设有与各晶体管对应的放置固定位，框架主体宽度最大为53mm，长度最大为228mm，每两个横向设置的晶体管之间设有分隔位。本实用新型技术方案解决了现有技术中的SOT封装结构增加了封装结构的长宽尺寸，也增加了封装结构用料的问题。
基本信息
专利标题 ：
SOT高密度封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122676432.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
CN216213424U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
陈永金林河北解维虎梅小杰
申请人 ：
深圳市金誉半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层）
代理机构 ：
深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
缪太清
优先权 ：
CN202122676432.2
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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