一种高密度QFN封装结构
授权
摘要
本实用新型系提供一种高密度QFN封装结构，包括封装体，封装体的底面中心设有中心焊盘，封装体的底面四个角落均设有一呈L字形的第一焊盘，相邻两个第一焊盘之间等间距分布有n个矩形的第二焊盘；第一焊盘的两端分别与封装体的相邻两边连接，第一焊盘靠近中心焊盘弯曲，第一焊盘与封装体的底面相邻两边之间围绕有锁胶间隙部。本实用新型中导电焊盘的集成化密度高，呈L字形的第一焊盘不但能够有效缩减单向维度的长度，从而避免导电焊盘之间发生短路，还能够有效确保第一焊盘的过电流能力，此外，第一焊盘与封装体之间形成的锁胶间隙部能够有效提高第一焊盘与封装体之间结构的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种高密度QFN封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021203792.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN212209466U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
骆宗友
申请人 ：
东莞市佳骏电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖新城大道3号A栋102房
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN202021203792.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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