一种半导体封装器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种半导体封装器件及其制备方法，属于半导体封装技术领域。所述制备方法首先提供第一中间体，第一中间体包括芯片和多个第一导电块，芯片的第一主表面具有多个芯片电极，第一导电块位于芯片电极位置处且与芯片电极电连接；接着将临时载板置于水平面上，并将第一中间体与临时载板相对设置，临时载板上形成有多个间隔排布的导电焊盘，一个第一导电块远离芯片的一端朝向一个导电焊盘；接着利用热压接合工艺将第一导电块和对应的导电焊盘进行接合；然后移除临时载板。本申请能够提高封装良率和半导体封装器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体封装器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551255A
申请号 ：
CN202210033818.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李尚轩石磊庄佳铭张小翠
申请人 ：
南通通富微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园区江达路99号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘桂兰
优先权 ：
CN202210033818.8
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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