半导体封装结构

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摘要

本实用新型提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：基底；牺牲层，位于基底的上表面；重新布线层，位于牺牲层的上表面；芯片，倒装合于重新布线层的上表面；第一电连接结构，位于重新布线层的上表面；第一塑封层，位于重新布线层的上表面，且将芯片及所述第一电连接结构塑封；第二电连接结构，位于第一塑封层上；第二塑封层，位于第一塑封层上，且将第二电连接结构塑封；顶层金属线层，位于第二塑封层上；翘曲调整层，位于基底的下表面。本实用新型的半导体封装结构的翘曲调整层可以补偿和抵消塑封材料层形成后导致的翘曲，从而减小甚至消除半导体封装结构的翘曲。

基本信息

专利标题：

半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920834726.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-04

授权号：

CN209804637U

授权日：

2019-12-17

发明人：

吕娇陈彦亨林正忠

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

史治法

优先权：

CN201920834726.3

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/528