半导体封装件及其形成方法
授权
摘要
一种形成半导体封装件的方法，包括：将天线衬底接合至再分布结构。天线衬底具有第一天线的第一部分，并且再分布结构具有所述第一天线的第二部分。该方法还包括将天线衬底密封在密封剂中，以及将封装组件接合至再分布结构。再分布结构包括第二天线的第三部分，封装组件包括第二天线的第四部分。根据本申请的其他实施例，还提供了一种半导体封装件。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111383926A
申请号 ：
CN201911375530.3
公开（公告）日 ：
2020-07-07
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN111383926B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
庄博尧蔡柏豪郑心圃
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201911375530.3
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/66 H01L25/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20191227
申请日 : 20191227
2020-07-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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