一种半导体封装及其形成方法
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摘要

一封装件,形成第二封装件,形成第三封装件,接着将所述第一封装件贴装在柔性线路基板的中间区域,将两个所述第二封装件分别贴装在柔性线路基板的相对的两个侧边区域,接着形成多个间隔设置的第一穿孔和第二穿孔,在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积树脂材料以分别形成第一加强柱和第二加强柱,所述第一加强柱和所述第二加强柱中的树脂材料的热膨胀系数小于所述柔性线路基板中的树脂材料的热膨胀系数,接着在所述第一封装件上设置第三封装件,接着将所述柔性线路基板的相对的两个侧边区域向上弯折,使得每个所述第二封装件均贴装至所述第一封装件的侧壁和所述第三封装件的侧壁。

基本信息
专利标题 :
一种半导体封装及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112053961A
申请号 :
CN202010949498.1
公开(公告)日 :
2020-12-08
申请日 :
2020-09-10
授权号 :
CN112053961B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
孙德瑞侯新祥
申请人 :
山东傲天环保科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
代理机构 :
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 :
叶宇
优先权 :
CN202010949498.1
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50  H01L21/56  H01L21/60  H01L25/16  H01L25/18  
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-03 :
授权
2022-05-24 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/50
登记生效日 : 20220512
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 山东傲天环保科技有限公司
变更后权利人 : 深圳伊帕思新材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 250000 山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市光明新区公明街道合水口社区第七工业区星皇科技园3楼A区
2020-12-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20200910
2020-12-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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