本发明涉及一种扇出封装结构及其形成方法，涉及半导体封装领域。通过在牺牲材料层上设置所述第一、第二、第三柔性互连图案层，进而设置第一牺牲材料层的第一穿孔、各柔性互连图案层的开孔以及所述半导体芯片的第一导电焊盘对应重叠设置，进而利用第一导电通孔实现多层柔性互连图案层与半导体芯片的第一导电焊盘的电连接，上述结构的设置有效提高相邻半导体芯片之间的电连接结构的稳固性，进一步的，通过设置所述开孔的孔径小于所述第一穿孔的孔径且所述第一导电焊盘的直径或边长大于所述第一穿孔的孔径，进一步确保在形成第一通孔的过程中，有效暴露各柔性互连图案层，进一步提高电连接的稳固性。