自调控生长取向的柔性自支撑单晶Fe3
授权
摘要
本申请公开了一种自调控生长取向的柔性自支撑单晶Fe3O4薄膜材料的制备、薄膜材料及单晶结构。其制备方法为：选择晶面取向为(001)的STO基片；在STO基片上制备单晶SAO层；在SAO层上制备调控薄层；在调控薄层上制备单晶磁性Fe3O4薄膜，形成STO/SAO/调控薄层/Fe3O4单晶结构；将STO/SAO/调控薄层/Fe3O4单晶结构浸泡于水中溶解SAO层制得一面覆有调控薄层的柔性自支撑单晶Fe3O4薄膜材料。本申请根据需求自调控获得具有不同生长取向的柔性自支撑单晶Fe3O4薄膜材料，有利于在其上生长具有不同晶格参数的外延异质结，大大扩展了单晶Fe3O4薄膜材料在可穿戴电子产品领域的应用。
基本信息
专利标题 ：
自调控生长取向的柔性自支撑单晶Fe3O4薄膜材料的制备、薄膜材料及单晶结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112410880A
申请号 ：
CN202011301146.1
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
CN112410880B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李江宇钟高阔安峰欧云訾孟飞
申请人 ：
中国科学院深圳先进技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽深圳大学城学苑大道1068号
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
任志龙
优先权 ：
CN202011301146.1
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C23C14/08 C23C14/28 C30B23/02 C30B29/22 C30B29/32 C30B29/60
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/16
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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