基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法，包括：半金属氧化物自由层；绝缘氧化物隧穿层，位于所述半金属氧化物参考层之上；半金属氧化物参考层，位于所述绝缘氧化物隧穿层之上；其中，所述半金属氧化物参考层和所述半金属氧化物自由层的半金属氧化物材料均为钴酸镍材料，且所述半金属氧化物参考层的厚度大于所述半金属氧化物自由层的厚度，以使所述磁隧道结的阻值在外部磁场的作用下发生改变。采用本发明的制备方法制备得到的磁隧道结材料具有更高的磁阻率和更快的响应速度，功耗更低，而且制备工艺简单，符合当今磁隧道结存储与传感器件小型化、高性能、高响应速率、低功耗的发展需求。
基本信息
专利标题 ：
基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497362A
申请号 ：
CN202210339962.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李鹏田兵李立浧刘仲吕前程骆柏锋尹旭张佳明王志明陈仁泽徐振恒韦杰谭则杰林秉章樊小鹏孙宏棣林力
申请人 ：
南方电网数字电网研究院有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之86
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊文杰
优先权 ：
CN202210339962.4
主分类号 ：
H01L43/10
IPC分类号 ：
H01L43/10 H01L43/08 H01L43/12
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/10
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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