一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：制备KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液；所得KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液旋涂于不同取向的Nb‑doped SrTiO3衬底上面，得到湿膜；干燥、热解、退火制得一层KNNS‑LT‑BZ薄膜；重复以上制得多层KNNS‑LT‑BZ薄膜。本发明制备方法相对简单，可以通过可以通过多远高熵原理、不同的晶化方式和不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
基本信息
专利标题 ：
一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112062562A
申请号 ：
CN202010979464.7
公开（公告）日 ：
2020-12-11
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN112062562B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
彭彪林李盈盈
申请人 ：
广西大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区南宁市大学东路100号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢波
优先权 ：
CN202010979464.7
主分类号 ：
C04B35/495
IPC分类号 ：
C04B35/495 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/495
以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化钼或氧化钨或与其他氧化物的固溶体为基料的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-12-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/495
申请日 : 20200917
申请日 : 20200917
2020-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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