一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法
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摘要
本发明涉及一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，是将PMN‑PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，干燥、热解，制得单层PMN‑PSN薄膜；重复以上，制得多层PMN‑PSN薄膜，将所得产品进行退火，即得所需薄膜材料。本发明的有益效果是：获得具有高的纯度、好的致密性、小的平均晶粒尺寸、超高的电场击穿强度等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，可以通过不同的晶化方式、不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
基本信息
专利标题 ：
一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112062564A
申请号 ：
CN202010981820.9
公开（公告）日 ：
2020-12-11
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN112062564B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
彭彪林陆秋萍
申请人 ：
广西大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区南宁市大学东路100号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢波
优先权 ：
CN202010981820.9
主分类号 ：
C04B35/497
IPC分类号 ：
C04B35/497 C04B35/50 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/495
以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化钼或氧化钨或与其他氧化物的固溶体为基料的
C04B35/497
以与氧化铅的固溶体为基料的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-12-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/497
申请日 : 20200917
申请日 : 20200917
2020-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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