本发明公开了一种高Q值单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，具体如下：衬底上依次沉积剥离层、压电层和下电极，下电极上沉积一个或两个环形结构以及钝化层，环形结构表面沉积钝化层；下电极表面淀积包裹钝化层和环形结构的牺牲层，压电层上沉积包裹牺牲层和下电极的保护层，压电层上淀积包裹保护层的待键合层二；将基底上的待键合层一与待键合层二键合，去除衬底，压电层上沉积上电极，上电极上沉积钝化层三，将上电极以外的压电层减薄；在压电层上形成通孔，通孔的底部开口于牺牲层表面，利用通孔去除牺牲层，从而在钝化层和保护层之间形成空腔。本发明的两个环形结构、三个钝化层和压电层边缘区减减薄，大大提升谐振器的Q值。