一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括顶部金属电极、压电薄膜层、底部金属电极和衬底，顶部金属电极和底部金属电极分别在压电薄膜层的上下表面形成位置相对的第一声波能量泄漏抑制部和第二声波能量泄漏抑制部，并且，第一声波能量泄漏抑制部包括凹槽和/或凸起，对应的所述第二声波能量泄漏抑制部包括凸起和/或凹槽，这样可通过非平整性结构减少声波能量在垂直方向的泄露。同时，压电薄膜层在由顶部金属电极和底部金属电极所覆盖的区段内厚度一致，也即，压电薄膜层的上下表面在该区段内不同位置均保持平行且高度相同，以抑制电场的垂直分量，使得同频率的信号进行相干叠加，提高了薄膜体声波谐振器的Q值。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114124014A
申请号 ：
CN202210082753.6
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
CN114124014B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区万科金域华府一期1-8座5座301
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
杜阳阳
优先权 ：
CN202210082753.6
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/02
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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