用于制作薄膜体声波谐振器的方法及谐振器
授权
摘要
本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作薄膜体声波谐振器的方法，包括：形成谐振结构；在谐振结构的一侧淀积介质层；在介质层远离谐振结构的一侧形成硅材料层；在硅材料层形成第一通孔；利用第一通孔在介质层上形成第二通孔，暴露出所述谐振结构；在硅材料层远离介质层的一侧形成衬底，使得谐振结构、介质层、硅材料层和衬底围合形成空腔。这样通过硅材料层刻蚀介质层，使得谐振结构暴露，相较于通过释放孔释放腐蚀衬底的方式，能够更快的暴露出谐振结构，从而能够快速形成空腔。本申请还公开一种薄膜体声波谐振器。
基本信息
专利标题 ：
用于制作薄膜体声波谐振器的方法及谐振器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114094970A
申请号 ：
CN202210064954.3
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
CN114094970B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区万科金域华府一期1-8座5座301
代理机构 ：
北京康盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
陶俊洁
优先权 ：
CN202210064954.3
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/02
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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