本实用新型公开了一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，结构包括：第一硅衬底、串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层和第一射频耦合电容，串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层与并联单晶薄膜体声波谐振器连接，并联单晶薄膜体声波谐振器通过第二电极层与第一射频耦合电容连接。通过采用第一射频耦合电容能够显著增强体声波滤波器的带外抑制特性，同时，通过第一射频耦合电容与并联单晶薄膜体声波谐振器进行连接，能够有效减少外接电路引入的性能损耗，此外，本实用新型仅仅需要串联单晶薄膜体声波谐振器与并联单晶薄膜体声波谐振器连接在一起即可，不需要形成拓扑结构，降低了制备难度。