一种GaN单晶生长装置的加热装置
授权
摘要
本实用新型提供一种GaN单晶生长装置的加热装置，包括一密闭高压釜以及位于高压釜外部的加热装置，高压釜固定安装于热等静压容器内部，高压釜外侧设有一气体导流罩，热等静压容器内部还设有一气体循环装置，以实现高压釜外部气体的对流循环。本实用新型能够通过设置加热装置，实现对使得高压釜上下两部分之间的阶跃温差，进而加速GaN单晶的快速生长；通过设置绝热层，避免了高压釜外部温度影响高压釜内部温度；通过设置加热装置和气体循环装置，实现了通过加热装置控制高压釜内部压强，气体循环装置控制高压釜外部压强，以实现高压釜外部的压力始终大于高压釜内的压力，使得高压釜处于外压工况，保证了高压釜的安全，提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN单晶生长装置的加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020789389.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN212476953U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
高明哲
申请人 ：
上海玺唐半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 ：
北京沁优知识产权代理有限公司
代理人 ：
方仕杰
优先权 ：
CN202020789389.3
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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