配置有低耗费冷却附件的单晶提拉培育装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种配置有低耗费冷却附件的单晶提拉培育装置,属于单晶生长领域。在无机大单晶培育工艺中,真空提拉炉是常用设备,其炉壳必须通水冷却,为此目的,按常规需要高耗费地挖建地下钢筋混凝土贮水槽。本案抛弃了常规的高耗费的安装规范。本案装置包括单晶提拉炉,以及,水泵,在单晶提拉炉的炉壳中装设有炉壳冷却水流通通道,炉壳冷却水流通通道的两端分别与装设在炉壳外部的冷却水进水接口以及冷却水出水接口联通,装设在炉壳外部的冷却水进水接口与水泵的出水口联通,本案要点是,水泵的进水口与逆流式冷却塔的出水口联通,炉壳外部的冷却水出水接口与逆流式冷却塔的进水口联通。本案装置冷却附件耗费低廉。

基本信息
专利标题 :
配置有低耗费冷却附件的单晶提拉培育装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820175701.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-10-21
授权号 :
CN201272835Y
授权日 :
2009-07-15
发明人 :
李榕生刘晓利姜晶晶杨欣宋岳王青春
申请人 :
宁波大学
申请人地址 :
315211浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学29号信箱
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820175701.9
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2012-12-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101368919148
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2008201757019
申请日 : 20081021
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20111021
2009-07-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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