一种降低晶片表面硅残留的方法
公开
摘要
本发明公开了一种降低晶片表面硅残留的方法，属于半导体技术领域。本发明的一种降低晶片表面硅残留的方法，包括以下步骤：(1)将表面活性剂和强碱弱酸盐溶于去离子水中，得晶片清洗液；(2)用晶片清洗液处理晶片后并用去离子水冲洗；(3)用HF水溶液处理晶片后并用去离子水冲洗；(4)用碱性溶液处理晶片后并用去离子水冲洗，接着干燥冲洗后的晶片；本发明先用表面活性剂和强碱弱酸盐对晶片进行初步清洗，接着再依次酸洗、碱洗，此种清洗方法组合能够在尽可能少用量的清洗剂下有效的降低晶片表面的硅浓度、提升晶片的清洗质量、保证清洗后晶片表面的平整度，同时，本发明技术方案提供的方法操作简单、耗时短，能够应用于实际。
基本信息
专利标题 ：
一种降低晶片表面硅残留的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300340A
申请号 ：
CN202111638679.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖彬周铁军曾琦王驭辉张昌文翁吉露
申请人 ：
广东先导微电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
颜希文
优先权 ：
CN202111638679.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C11D1/72 C11D3/08 C11D3/10 C11D11/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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