使用涡流的缺陷检查设备和使用其的半导体晶片接合装备
实质审查的生效
摘要
本公开涉及使用涡流的缺陷检查设备和使用其的半导体晶片接合装备。缺陷检查设备可以包括传感器块、测量块、控制器和储存装置。传感器块可以包括按Z字形图案布置的多个传感器以将涡流引发至半导体晶片。测量块可以被配置为将设定频率的振荡信号施加到传感器块，并且接收振荡信号的设定频率的改变。控制器可以被配置为基于振荡信号的设定频率的改变来确定半导体晶片是否包含缺陷。储存装置可以被配置为存储由半导体晶片中的涡流引起的振荡信号的设定频率的改变以及半导体晶片中的缺陷的位置信息。
基本信息
专利标题 ：
使用涡流的缺陷检查设备和使用其的半导体晶片接合装备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388379A
申请号 ：
CN202110726424.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
禹仲范
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110726424.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/67 G01N27/9013
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210629
申请日 : 20210629
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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