一种半导体封装结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体封装结构，包括一第一图案化导电层、一第一功率晶片、一第二功率晶片、一导电粘着层、一第二图案化导电层、一第一导电连接元件、一第二导电连接元件以及一模封层。第一功率晶片及第二功率晶片以正面及反面相互颠倒的方式嵌埋于模封层中。另外，第一功率晶片及第二功率晶片的一侧通过导电粘着层而固定于第一图案化导电层。本发明亦公开一种半导体封装结构的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111627865A
申请号 ：
CN201910143924.X
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2019-02-27
授权号 ：
CN111627865B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
许哲玮
申请人 ：
恒劲科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县湖口乡新兴路458之17号
代理机构 ：
北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑玉洁
优先权 ：
CN201910143924.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/522 H01L21/48 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20190227
申请日 : 20190227
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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