应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种在其上具有绝缘体(104)的半导体衬底(102)，其中该绝缘体(104)上有半导体层(106)。形成深沟隔离区(108)，将应变导引入至该半导体层(106)。在该半导体层(106)上形成栅极电介质(202)与栅极(204)。围绕着该栅极(204)形成间隔体(304)，且将在该间隔体(304)外部的半导体层(106)与绝缘体(104)除去。在该间隔体(304)外部形成凹入式源极/漏极(402)。

基本信息

专利标题：

应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101061587A

申请号：

CN200580035899.X

公开（公告）日：

2007-10-24

申请日：

2005-10-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

相奇N·苏巴W·P·麦斯扎拉Z·克里沃卡皮克M－R·林

申请人：

先进微装置公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊

优先权：

CN200580035899.X

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/336