功率半导体电路和用于确定功率半导体器件的温度的方法
授权
摘要
本发明涉及一种用于确定功率半导体元件(20)的温度的功率半导体电路(1)。该功率半导体电路包括功率半导体元件和温度传感器(10)，其中功率半导体元件包括用于驱控功率半导体元件的栅极(G)、集电极(C)和发射极(E)，其中发射极(E)与第一发射极端子(HE)电连接，温度传感器包括具有测量端子(TC)的第一测量点(11)和第二测量点(12)，其中第二测量点电连接到发射极(E)，使得在测量端子和第一发射极端子之间可以测量在温度传感器(10)上降落的电压，以用于温度测量。本发明还涉及一种借助该功率半导体电路(1)确定功率半导体元件(20)的温度的方法，以及具有至少一个该功率半导体电路(1)的桥电路。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体电路和用于确定功率半导体器件的温度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110865290A
申请号 ：
CN201910730899.5
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2019-08-08
授权号 ：
CN110865290B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
A·阿伦斯W·加科比
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国诺伊比贝尔格
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201910730899.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/27 G01K7/24 G01K7/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20190808
申请日 : 20190808
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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